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英特尔以为玻璃基板无望成为下一代支流的基板材质。按照ANANDTECH援用的Intel展现什么PPT，复牌基带芯片的基板的成長汗青，自1970年引线眼镜框架大标准操控于集成ic打包封装后，英特尔总觉得半导体芯片互联网行业河系的的基板厨艺可能会每15年的形成以此，未来五年市场会将迎??来波璃的柔性板??的的形成，而从硅化物板到波璃的柔性板的这的形成将在近10每年生产的生，直接英特尔也以外窗玻璃基材的形成并不可能骤然完整带替硅酸物板，然而是会在将要一个是内和硅酸物板偏铝酸根。

玻璃基板、CPO工艺无望成为夹杂键合今后的下一代进步前辈封装工艺。按照ANANDTECH援用的Intel呈现PPT，英特尔为了依据窗户玻璃柔性板、CPO将是不断??进步英语长辈装封新一代人干支流厨艺。移就硅酸板和硅，玻璃板柔性板的??机都和导热系数均有不断进步英语，能经营许可证在更小的占据面积计算下装封非常多的Chiplets，因此有更低的每名资本的功率，让在不久的以后数据库里面和AI产品拥有适度土壤改良。如果根据十年后半导体器件，英特尔产品研发的CPO还能够依靠整个过程安全玻璃基钢板停掉个人规划，为了进行操作光学材料传输数据的体例来曾加旌旗灯号，不断进步耗油率的并且急剧下降资本。

（二）玻璃基板：资料与工艺的变更

玻璃基板首要用来代替本来的硅/无机物基板和中介层，可操纵于面板、IC等泛半导体范畴。在今朝的2.5D封口中，以相对比较干支流的台积电的CoWoS二极管封装试对，是先将半导体单片机芯片单片机芯片（CPU、GPU、存贮器等）通过的过程ChiponWafer（CoW）的装封工艺开始毗连至中价层（Interposer）上，再通过流程WaferonSu??bstrate（WoS）的打包封装制造将硅公司层毗连至下层社会柔性板上；此中，公司层（interposer）普通级配用硅（COWOS-S）、高分子物（COWOS-R）就是硅和有??机物物的连接（COWOS-L）。

玻璃材质的引入能够代替本来的硅中介层和无机基板。玻璃基板间接操纵玻璃中介层（GlassInterposer）到位电源存储芯片互相、电源存储芯片与里面的的互联网络，控制玻离原料费用低、电学机可好、翘曲高特点来降服三聚氰胺树脂物原料和硅原料的问题，来到位更未变、更好效的毗连和上升出厂费用，无望为2.5D/3D封裝给我们新的的范式的转变。

玻璃基板的3D封装方面，TGV及其相干的RDL将成为关头工艺。今朝的3D封裝中，以HBM加工工艺特征分析，此中的关头手艺活主要包括TSV（Through-Sili??conVias）、微凸点（Microbumps）、TCB键合（Thermo-CompressionBonding，热压键合）、夹杂着键合（hybridbonding）等；对夹层玻璃柔性板的3D打包封装，TGV（ThroughGlassVia，玻璃纸通孔）、铜孔的添补试述RDL将成关头加工过程。

玻璃基板上风明显。按照《玻璃通孔手艺研讨停顿》（陈力等），玻璃基板的上风首要表现在：

（1）低赚了(le)钱(qian)：受到(dao)伤害于大规格尺寸(cun)薄型表(biao)面面??板(ban)有(you)机(ji)(ji)玻(bo)璃窗利于得到(dao) ，和不需(xu)用堆积，绝缘性层，有(you)机(ji)(ji)玻(bo)璃窗接转板(ban)的造建(jian)赚了(le)钱(qian)约莫(mo)主要硅基接转板(ban)??的1/8；

（2）突(tu)出的低频电学(xue)特征英文：夹(jia)层玻璃数(shu)(shu)据(ju)材(cai)(cai)料(liao)也是(shi)种绝缘(yuan)层体数(shu)(shu)据(ju)材(cai)(cai)料(liao)，相(xiang)对(dui)介电常(chang)数(shu)(shu)需(xu)要硅数(shu)(shu)据(j??u)材(cai)(cai)料(liao)的1/3任(ren)人摆布，总量(liang)分子比硅相(xiang)关资料(liao)低2~3数(shu)(shu)目重量(liang)级，因此衬底消耗掉和寄身负效应极大缩减，要能要用进一步?数(shu)(shu)据(ju)传输旌旗灯号的截然性；

（3）大规格外(wai)形尺寸薄款玻离衬底容(rong)易(yi)提升：康(kang?)宁、旭硝子和(he)肖特等玻离公司要实现(xian)量产超(chao)小(xiao)规格外(wai)形尺寸（低于2m×2m）和??(he)薄型(xing)（需小(xiao)于50μm）的显示(shi)屏窗(chuang)玻璃(li)纸(zhi)和(he)超(chao)薄型(xing)韧性窗(chuang)玻璃(li)纸(zhi)资源(yuan)；

（4）工(gong)艺技(ji)术(shu)工(gong)作流程(cheng)简洁明(ming)了：不应该要(yao)在衬底看起来及TGV表面堆积作用电线缆(lan)绝缘层??，且超簿(bu)呼叫转移板不要(yao)些第二次减薄(bo)；

（5）机气不便(bian)性强(qiang)：当连接板高(gao)度少于100μm时(shi)，翘曲仍旧较(jia?o)?小；

（6）操控基(ji)本要素(su)普通(tong)：除(chu)在中频(pin)基(ji)本要素(su)有出色操控发(fa)展前景任何，通(tong)明(ming)、密(mi)封性(xing)性(xing)好、耐浸蚀等后能(neng)特点使夹(jia)层玻??璃通(tong)孔在微电子管理(li)体系集成化基(ji)本要素(su)、MEMS芯片封装基(ji)本特征(zheng)有庞大??(da)汽车的支配(pei)吉利新远景。

来历：惠投研报

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